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J-GLOBAL ID：200903066453558530

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 山内 孝裕
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 菊池 弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991301188
Publication number (International publication number)：1993114713
Application date： Oct. 22, 1991
Publication date： May. 07, 1993
Summary：

【要約】【目的】 平面的な面積を増やすことなくキャパシタの容量を増加させることができ、かつ容量の増加分を厳密に制御可能とする。【構成】 下部電極19の側端が基板11方向に延長された形状とする。窒化シリコン膜16をエッチングの終点としてSiO2膜17をパターニングし、その側壁に多結晶シリコン膜23を残すことにより、下部電極19の側端が基板11方向に延長された形状とする。SiO2膜17の膜厚で延長部分、すなわち容量の増加分を厳密に制御できる。

Claim (excerpt)：

下部電極、誘電体膜、上部電極からなるキャパシタを基板上に有する半導体装置において、基板上の絶縁膜上に形成される下部電極は、側端が基板方向に延長された形で設けられ、その延長部分を含んで下部電極の表面を覆って誘電体膜が設けられ、さらに同様に下部電極を覆って上部電極が配設されたことを特徴する半導体装置。

IPC (2)：

H01L 27/108 ,  H01L 27/04