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J-GLOBAL ID：200903066455111044

電極配線およびその形成方法

Inventor： 宮島 秀史 ,  國島 巌 ,  早坂 伸夫
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993351171
Publication number (International publication number)：1995201779
Application date： Dec. 28, 1993
Publication date： Aug. 04, 1995
Summary：

【要約】【目的】微細構造の半導体装置において信頼性の高いアルミニウム配線およびその形成方法を提供することを目的とする。【構成】半導体基板21上に形成された第1の窒化チタン膜23と、その上に形成され、結晶配向が(111)配向である第2の窒化チタン膜24と、その上に形成されたアルミニウム配線25とを具備することを特徴とする。また、半導体基板21上にCVD法により第1の窒化チタン膜23を形成し、第1の窒化チタン膜23を少なくともハロゲン元素を含むガスに晒し、その後第1の窒化チタン膜23上にCVD法により結晶配向が(111)配向である第2の窒化チタン膜24を形成し、第2の窒化チタン膜上にアルミニウム配線25を形成する工程とを具備することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成された結晶配向が(100)配向である第1の窒化チタン膜と、前記第1の窒化チタン膜上に形成され、結晶配向が(111)配向である第2の窒化チタン膜と、前記第2の窒化チタン膜上に形成されたアルミニウム配線とを具備することを特徴とする電極配線。

IPC (2)：

H01L 21/285 301 ,  H01L 21/3205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-344281   Applicant：川崎製鉄株式会社
• 配線構造およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-069199   Applicant：ソニー株式会社