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J-GLOBAL ID：200903066455223039

半導体素子の冷却装置

Inventor： 山本 治
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 佐藤 強
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995026521
Publication number (International publication number)：1996222664
Application date： Feb. 15, 1995
Publication date： Aug. 30, 1996
Summary：

【要約】【目的】 半導体素子の冷却が充分にできて温度上昇を抑制できるようにする。【構成】 半導体素子11を取付けた伝熱良導材から成る取付板12に、伝熱良導材の薄板から成る第1の冷却フィン14を格子状に組んで形成した放熱器13を取付けて成るものにおいて、その放熱器13中に、第1の冷却フィン14の2倍以上の板厚を有する伝熱良導材の厚板から成る第2の冷却フィン15を、取付板12及び第1の冷却フィン14に接触させて、放熱器13の外側部に到達する長さで設け、取付板12から放熱器13への伝熱性、放熱器13自体の伝熱性、並びに放熱器13全体の放熱の有効性をすべて良くするようにした。この場合、第2の冷却フィン15は、伝熱良導材の平袋中に自然対流により伝熱をする媒体を封入したもので第1の冷却フィン14の2倍以上の厚みを有するように構成しても良い。

Claim (excerpt)：

半導体素子を取付けた伝熱良導材から成る取付板に、伝熱良導材の薄板から成る第1の冷却フィンを格子状に組んで形成した放熱器を取付けて成るものにおいて、その放熱器中に、前記第1の冷却フィンの2倍以上の板厚を有する伝熱良導材の厚板から成る第2の冷却フィンを、前記取付板及び第1の冷却フィンに接触させて、放熱器の外側部に到達する長さで設けたことを特徴とする半導体素子の冷却装置。