Pat

J-GLOBAL ID：200903066460135539

強誘電体膜を有する半導体メモリ装置

Inventor： 黒田 吉己
Applicant, Patent owner： オリンパス光学工業株式会社
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992273231
Publication number (International publication number)：1994125058
Application date： Oct. 12, 1992
Publication date： May. 06, 1994
Summary：

【要約】【目的】 本発明の目的は、電極材料の選択幅を広げ、安定した強誘電体コンデンサ素子を製造できるようにし、信頼性のよい強誘電体膜を有する半導体メモリ装置を提供すると共に、その製造工程の簡略化を図り且つその集積度を向上させることにある。【構成】 半導体基板11と、この基板上に設けられた絶縁膜17と、この絶縁膜上に設けられた複数の柱状もしくは壁状に設けられた強誘電体膜18と、この強誘電体膜の対向する側面に設けられた第1電極19および第2電極20とからなる強誘電体コンデンサ素子26と、前記基板上に設けられ、前記強誘電体コンデンサの第1、第2の電極のいずれか一方の電極と接続されるトランジスタ10とを具備したことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、この基板上に設けられた絶縁膜と、この絶縁膜上に設けられた複数の柱状もしくは壁状に設けられた強誘電体膜と、この強誘電体膜の対向する側面に設けられた第1電極および第2電極とからなる強誘電体コンデンサ素子と、前記基板上に設けられ、前記強誘電体コンデンサ素子の第1,第2の電極のいずれか一方の電極と接続されるトランジスタとを具備したことを特徴とする強誘電体膜を有する半導体メモリ装置。

IPC (2)：

H01L 27/108 ,  H01L 27/04