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J-GLOBAL ID:200903066487408332

流動性スピンオン絶縁体

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 坂口 博 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998001357
Publication number (International publication number):1998209146
Application date: Jan. 07, 1998
Publication date: Aug. 07, 1998
Summary:
【要約】【課題】 ギャップ充てん特性の高い絶縁体を開発することを目的とする。【解決手段】 ホスファゼンまたはボラジンなどのPまたはBを含有する材料をシルセスキオキサンの溶液と混合し、基板上にスピンコーティングして所定の厚みの皮膜を形成することにより、イオン・バリア特性を有するスピンオン絶縁コーティングを形成する。コーティングした皮膜を段階的に硬化させて、溶剤およびHならびにOH基のほとんどを除去すると、SiONX(XはB、P、Fまたはこれらの混合物)の組成を有する皮膜が形成する。P、B、または他の元素の量は、シルセスキオキサン中の固形分を計算し、適量のボラジンまたはホスファゼンを添加することにより前もって決定する。コーティングされ、硬化した皮膜はトレンチをエッチングすることにより形成されたトポグラフィを充てんし、平坦化する。
Claim (excerpt):
(HSi(OH)xO3-x/2)nの溶液を調製するステップと、選択した量の、ホスファゼン、フルオロホスファゼン、ボラジン、およびこれらの混合物からなるグループから選択した少なくとも1種類の材料を添加することにより、上記溶液を変性させるステップと、上記溶液を基板にコーティングして層を形成するステップと、上記層を硬化させて、主としてシリコン、酸素、窒素、ならびにB、P、およびFからなるグループから選択した少なくとも1種類の元素を有する絶縁コーティングを形成するステップとを含む工程によって基板上に形成した絶縁コーティング。
IPC (3):
H01L 21/316 ,  B05D 7/00 ,  B05D 7/24 302
FI (3):
H01L 21/316 G ,  B05D 7/00 H ,  B05D 7/24 302 Y

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