Pat
J-GLOBAL ID：200903066487916095
結晶膜の膜厚測定方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鴨田 朝雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994281491
Publication number (International publication number)：1996124986
Application date： Oct. 21, 1994
Publication date： May. 17, 1996
Summary：
【要約】【目的】 エピタキシャル成長させたホモ接合型半導体結晶におけるエピタキシャル結晶膜の膜厚を非接触非破壊で測定するための技術を提供する。【構成】 エピタキシャル結晶膜の膜厚を非接触非破壊で測定する方法において、ルミネッセンスにより発生した小数キャリアの寿命に係わるルミネッセンスの減衰曲線の時定数または勾配から膜厚を求める。
Claim (excerpt)：
エピタキシャル結晶膜の膜厚を非接触非破壊で測定する方法において、ルミネッセンスの減衰特性との相関関係から膜厚を求めることを特徴とする膜厚測定方法。
IPC (3)：
H01L 21/66
, G01B 11/06
, G01N 21/64
