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J-GLOBAL ID：200903066498532230
環状導波路を有するマイクロ波供給器及びそれを備えたプラズマ処理装置及び処理方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
丸島 儀一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998135100
Publication number (International publication number)：1999040397
Application date： May. 18, 1998
Publication date： Feb. 12, 1999
Summary：
【要約】【課題】 高圧領域で処理を行う場合でも、より低温でより高品質な処理をより均一に行うことが可能になるように、大面積均一な平板状の高密度低電位プラズマを発生できるプラズマ処理装置及び処理方法を提供すること。【解決手段】 容器1内に被処理体Wを保持するための保持手段2と、容器1内に配された被処理体Wに対向して設けられ誘電体窓4を透してマイクロ波を容器1内に導入するマイクロ波供給手段と、容器1内にガスを供給する手段7と、容器1内を排気する手段8とで構成され、マイクロ波供給手段は、平板状のH面に所定の間隔で設けられていた複数のスロットを有する環状導波路を1つ或いは複数有しており、必要に応じてガス放出口がH面を向いていることを特徴とする。
Claim (excerpt)：
内部が減圧可能な容器と、該容器内にガスを供給するガス供給手段と、該容器内にプラズマを発生させる為のマイクロ波を供給するマイクロ波供給手段と、を有し、該プラズマを利用して被処理体を処理するプラズマ処理装置において、該マイクロ波供給手段は、互いに離間して設けられた複数のスロットを有する平面状のH面と、マイクロ波の進行方向に垂直な矩形断面と、を有する環状導波路を備え、該平面状のH面に設けられた該複数のスロットより、該容器の誘電体窓を透して該容器内にマイクロ波を供給するマイクロ波供給器であり、該ガス供給手段は、該平面状のH面に向けて該ガスを放出するガス放出口を備えていることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (7)：
H05H 1/46
, C23C 16/50
, C23F 4/00
, H01L 21/205
, H01L 21/3065
, H01L 21/31
, H01Q 21/06
H05H 1/46 B
, C23C 16/50
, C23F 4/00 D
, H01L 21/205
, H01L 21/31 C
, H01Q 21/06
, H01L 21/302 B
