Pat

J-GLOBAL ID：200903066505205584

強誘電体薄膜の製造方法

Inventor： 鳥居 和功 ,  平谷 正彦 ,  ▲高▼谷 信一郎 ,  櫛田 恵子 ,  三木 浩史 ,  松井 裕一 ,  矢野 史子 ,  藤崎 芳久
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995241295
Publication number (International publication number)：1997082902
Application date： Sep. 20, 1995
Publication date： Mar. 28, 1997
Summary：

【要約】【構成】高濃度オゾンガスを基板に照射しながら金属蒸気を基板に蒸着し非晶質の鉛系強誘電体薄膜を形成し、成膜後急速熱処理法を用いて結晶化を行う。非晶質薄膜を蒸着する際、基板温度は300°C以下とし、基板に入射するオゾンの分子数を、鉛の原子数と同数以上、好ましくは、5倍以上にする。【効果】十分に酸化された複合酸化物の非晶質鉛系強誘電体薄膜は緻密かつ一様で、析出物等がなく、結晶化後には欠陥のない鉛系強誘電体薄膜が得られる。さらに、基板温度を低く保つため、オゾンの熱分解が少なく、基板からの金属元素の再蒸発がないので組成制御が容易となり、また、加熱成膜中の鉛の電極への拡散を抑制できる。

Claim (excerpt)：

鉛系ペロブスカイト型強誘電体を構成する金属元素を酸化しながら蒸着する強誘電体薄膜の製造方法において、基板に照射するオゾン分子数を鉛原子数と同数以上とすることを特徴とする強誘電体薄膜の製造方法。

IPC (9)：

H01L 27/10 451 ,  C30B 29/32 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (5)：

H01L 27/10 451 ,  C30B 29/32 A ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371