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J-GLOBAL ID：200903066505683958
半導体装置用多層プリント基板及び多層プリント基板を用いた半導体装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996209809
Publication number (International publication number)：1998056095
Application date： Aug. 08, 1996
Publication date： Feb. 24, 1998
Summary：
【要約】【課題】 多層プリント基板の導電層においてニッケルからなるバリア層と金からなる被膜層との膜厚を薄くすると、半導体チップの接着性やボンディング性が損なわれる。【解決手段】 内部配線55が形成された絶縁性基板51の表面上に半導体チップ搭載用のダイパッド11とボンディングパッド12とを有し、絶縁性基板51の裏面上に電極パッド13を有して成る半導体装置用の多層プリント基板1において、ダイパッド11とボンディングパッド12と電極パッド13とは、導電性主材料層101上にニッケルまたはニッケル合金からなるバリア層102とパラジウムまたはパラジウム合金からなる被膜層103とを下層から順に積層してなる。これによって、被膜層103と導電性主材料層101及びバリア層102との間の拡散反応を防止し、バリア層102及び被膜層103の必要最低膜厚を薄くする。
Claim (excerpt)：
内部に配線が形成された絶縁性基板の表面上に半導体チップ搭載用のダイパッドとボンディングパッドとを有し、当該絶縁性基板の裏面上に電極パッドを有して成る半導体装置用多層プリント基板であって、前記ダイパッドとボンディングパッドと電極パッドとは、導電性主材料層上にニッケルまたはニッケル合金からなるバリア層とパラジウムまたはパラジウム合金からなる被膜層とを下層から順に積層してなること、を特徴とする半導体装置用多層プリント基板。
IPC (2)：
FI (3)：
H01L 23/12 F
, H05K 1/09 C
, H01L 23/12 L
