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J-GLOBAL ID：200903066512781701

高飽和磁化窒化鉄薄膜形成方法および高飽和磁化窒化鉄薄膜を有する構造体

Inventor： 太田 和三郎 ,  木下 幹夫 ,  高橋 研
Applicant, Patent owner： 株式会社リコー
Agent (1)： 樺山 亨 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992287458
Publication number (International publication number)：1994136508
Application date： Oct. 26, 1992
Publication date： May. 17, 1994
Summary：

【要約】【目的】基板上に高飽和磁化窒化鉄薄膜を容易かつ確実に形成する。【構成】窒素ガスもしくは窒素原子を含むガスが含まれるプラズマにより、鉄の窒化反応を促進させて、窒化鉄薄膜を形成する方法において、窒化鉄薄膜形成時のプラズマ中の電子温度を3.5eV以下に維持し、窒化鉄薄膜の形成される基板11の温度を、α’’Fe16N2の分解温度を越えない温度に保つ。

Claim (excerpt)：

窒素ガスもしくは窒素原子を含むガスが含まれるプラズマにより、鉄の窒化反応を促進させて、窒化鉄薄膜を形成する方法において、窒化鉄薄膜形成時のプラズマ中の電子温度を3.5eV以下に維持し、窒化鉄薄膜が形成される基板の温度を、α’’Fe16N2の分解温度を越えない温度に保つことを特徴とする高飽和磁化窒化鉄薄膜形成方法。

IPC (3)：

C23C 8/36 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/50