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J-GLOBAL ID：200903066522333634
化学気相成長装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山本 惠二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994216648
Publication number (International publication number)：1996060369
Application date： Aug. 17, 1994
Publication date： Mar. 05, 1996
Summary：
【要約】【目的】 基板表面に形成される薄膜の膜厚の面内均一性を向上させることができ、しかも基板表面へのパーティクル付着の可能性が少なく、かつ基板加熱の自由度が制限されない化学気相成長装置を提供する。【構成】 この装置は、一端部から原料ガス4が導入され他端部から排気される反応容器12と、その中に収納されていて上面18aに基板2を保持するサセプタ18と、反応容器12を貫通していてサセプタ18を支持する支持軸20と、支持軸20が反応容器12を貫通する部分を真空シールする真空シール部22と、反応容器12外に設けられていて支持軸20を回転させる回転駆動源24とを備えている。しかも、サセプタ18上の基板表面に対向する部分の反応容器12の壁面12aは、平面であってしかも基板表面に対して原料ガス4の下流側で狭くなるように角度θだけ傾けられている。
Claim (excerpt)：
反応容器内における原料ガスの流れ方向とサセプタ上の基板表面とがほぼ平行である平行流型の化学気相成長装置であって、一端部から原料ガスが導入され他端部から排気される反応容器と、この反応容器内に回転可能に収納されていて上面に基板を保持するサセプタと、反応容器を回転可能に貫通していてサセプタを支持する支持軸であって、その中心軸がサセプタ上の基板表面の中心を垂直に通るものと、この支持軸が反応容器を貫通する部分を、支持軸の回転を許容しつつ真空シールする真空シール部と、反応容器外に設けられていて支持軸を回転させる回転駆動源とを備え、かつサセプタ上の基板表面に対向する部分の反応容器の壁面が、平面であってしかも基板表面に対して原料ガスの下流側で狭くなるように傾けられていることを特徴とする化学気相成長装置。
IPC (2)：
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