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J-GLOBAL ID:200903066527517938

フラッシュメモリの記憶内容消去方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 小沢 信助
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993330702
Publication number (International publication number):1995192479
Application date: Dec. 27, 1993
Publication date: Jul. 28, 1995
Summary:
【要約】【目的】 自動消去機能を持たないフラッシュメモリであっても簡単な構成で消去時間を短縮できるフラッシュメモリの記憶内容消去方法を実現する。【構成】 消去が完了する度に、その消去において消去コマンドを発行した回数Nを発行回数格納領域に記憶しておく。今回の消去ではN-2回目の消去コマンドが発行するまではフラッシュメモリからベリファイを行わず、消去コマンドを発生するだけにし、N-1回目のコマンドが発行したところで初めてメモリからのベリファイを行う。消去が完了した時に、発行回数格納領域の内容を今回の消去において消去が行われるまでに発行した消去コマンドの発行回数に更新する。
Claim (excerpt):
消去コマンドを所定回数だけ繰り返し発行したところで初めて消去を行うことができ、消去が行われるまでに要する消去コマンドの発生回数は、記憶内容を書き換える度に増えていく傾向にあるフラッシュメモリにおいて、消去コマンドの発生回数をカウントするカウンタと、消去が行われるまでに発行した消去コマンドの回数が消去の完了時に書き込まれる発行回数格納領域をフラッシュメモリ内に有し、次の工程を有することを特徴とするフラッシュメモリの記憶内容消去方法。?@前回の消去における消去コマンドの発生回数Nを前記発行回数格納領域から読み出す工程。?A消去コマンドの発行回数をカウントし、N-2回目の消去コマンドが発行するまではフラッシュメモリからベリファイを行わず、消去コマンドを発行させるだけにする工程。?BN-1回目の消去コマンドが発生したときに初めてフラッシュメモリからベリファイを行う工程。?Cベリファイしたデータをもとに消去が行われているかどうかをチェックする工程。?D消去が完了した時に、発行回数格納領域の内容を今回の消去において消去が行われるまでに発行した消去コマンドの回数に更新する工程。

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