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J-GLOBAL ID：200903066561005865

チタン酸バリウム系半導体磁器組成物

Inventor： 川 瀬 洋 一 ,  新 見 秀 明 ,  米 田 康 信 ,  坂 部 行 雄
Applicant, Patent owner： 株式会社村田製作所
Agent (1)： 岡田 全啓
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991235458
Publication number (International publication number)：1993051254
Application date： Aug. 21, 1991
Publication date： Mar. 02, 1993
Summary：

【要約】【構成】 正の抵抗温度特性を有するチタン酸バリウム系半導体磁器組成物において、BaTiO3 が55〜80モル%、CaTiO3 が13〜18モル%、PbTiO3 が3〜12モル%、SrTiO3 が4〜15モル%からなる主成分に、半導体化剤として、Y,La,Ceなどの希土類元素、Nb,Bi,Sb,W,Thのうち少なくとも1種が0.15〜0.5モル%含有されているチタン酸バリウム系半導体磁器に対して、マンガンをMnに換算して0.002〜0.025モル%、SiO2 を0.2〜0.7モル%、それぞれ添加する。【効果】 正の抵抗温度係数を有するチタン酸バリウム系半導体磁器組成物において、静耐圧特性を保ちつつ、大幅な低抵抗化が可能となる。

Claim (excerpt)：

正の抵抗温度特性を有するチタン酸バリウム系半導体磁器組成物において、BaTiO3 が55〜80モル%、CaTiO3 が13〜18モル%、PbTiO3 が3〜12モル%、SrTiO3 が4〜15モル%からなる主成分に、半導体化剤として、Y,La,Ceなどの希土類元素、Nb,Bi,Sb,W,Thのうち少なくとも1種が0.15〜0.5モル%含有されているチタン酸バリウム系半導体磁器に対して、マンガンがMnに換算して0.002〜0.025モル%、SiO2 が0.2〜0.7モル%、それぞれ添加されていることを特徴とする、チタン酸バリウム系半導体磁器組成物。