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J-GLOBAL ID：200903066563761977

薄膜のパターニング方法

Inventor： 垣内 宏司
Applicant, Patent owner： セイコー電子工業株式会社
Agent (1)： 林 敬之助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993052479
Publication number (International publication number)：1994267835
Application date： Mar. 12, 1993
Publication date： Sep. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 シリコン窒化膜およびシリコン酸窒化膜とレジストとの密着性を向上し、レジストの剥がれを防止する。【構成】 シリコン窒化膜およびシリコン酸窒化膜堆積後に薄膜表面を酸素プラズマ処理することにより、薄膜表面に極く薄いシリコン酸化膜層を形成し、薄膜とレジストとの密着性を向上させる。

Claim (excerpt)：

シリコン窒化膜(Si3 N4 )もしくはシリコン酸窒化膜(SiON)の、フォトレジストを用いたパターニングにおいて、レジストを塗布する前に膜表面に酸素プラズマ処理を施すことを特徴とする薄膜のパターニング方法。

IPC (3)：

H01L 21/027 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/306