Pat

J-GLOBAL ID：200903066566625519

一軸磁気異方性薄膜

Inventor： 古川 伸治 ,  大沼 繁弘 ,  松本 文夫 ,  藤森 啓安 ,  増本 健
Applicant, Patent owner： 株式会社アモルファス・電子デバイス研究所
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993224439
Publication number (International publication number)：1995086035
Application date： Sep. 09, 1993
Publication date： Mar. 31, 1995
Summary：

【要約】【目的】本発明は、電気抵抗と飽和磁化が共に高い軟磁性薄膜で、高周波特性の優れた一軸磁気異方性薄膜を提供することを目的とする。【構成】本発明は、一般式 Fe100-x-y-z Mx Ny Lz (原子%)で示され、MはBe,B,Mg,Al,Si,Ca,Ti,Y,Zr,Mo,In,Sn,Cs,Ba,La,Hf,Ta,Bi,Pb,Wのうちから選択される1種または2種以上の元素であり、LはO、Fのうちから選択される1種または2種の元素であり、それぞれの原子比率が、5≦ x ≦25、0≦ y ≦15、15≦ z ≦35、28≦x+y+z≦50であり、その結晶構造が主にbcc-Fe構造とMの酸化物相あるいはフッ化物相からなることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

一般式 Fe100-x-y-z Mx Ny Lz (原子%)で示され、MはBe,B,Mg,Al,Si,Ca,Ti,Y,Zr,Mo,In,Sn,Cs,Ba,La,Hf,Ta,Bi,Pb,Wのうちから選択される1種または2種以上の元素であり、LはO、Fのうちから選択される1種または2種の元素であり、それぞれの原子比率が、5≦ x ≦250≦ y ≦1515≦ z ≦3528≦x+y+z≦50であり、その結晶構造が主にbcc-Fe構造とMの酸化物相あるいはフッ化物相からなることを特徴とする一軸磁気異方性薄膜。

IPC (3)：

H01F 10/14 ,  C22C 38/00 303 ,  G11B 5/31