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J-GLOBAL ID：200903066566882287

縦型MOS電界効果トランジスタ

Inventor： 山西 雄司
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 宮井 暎夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992140507
Publication number (International publication number)：1993335584
Application date： Jun. 01, 1992
Publication date： Dec. 17, 1993
Summary：

【要約】【目的】 逆方向安全動作領域の向上を図ることができる縦型MOS電界効果トランジスタを提供する。【構成】 ウェル領域4内にソース領域5が形成される部位でのソース領域5の形成を、ゲート電極3に隣接した側で広く、ウェル領域4とソース領域5とをソース電極7に接続するコンタクト窓部10側で狭くなるようにして形成し、ソース領域5が形成されないウェル領域4の部位を、ウェル領域4からソース電極7へ向かうブレーク電流用バイパス領域9とする。

Claim (excerpt)：

ドレイン領域となる一導電型の半導体基板内に形成された他導電型のウェル領域内に一導電型のソース領域を形成し、チャネル領域となる前記ウェル領域上にゲート酸化膜を介してゲート電極を形成するとともに、コンタクト窓部で前記ウェル領域およびソース領域をソース電極に電気的に接続した縦型MOS電界効果トランジスタであって、前記ウェル領域内のソース領域を、前記ゲート電極に隣接した側で広くコンタクト窓部側で狭く形成し、前記ソース領域が形成されないウェル領域の部位を前記ウェル領域から前記ソース電極へ向かうブレーク電流用バイパス領域としたことを特徴とする縦型MOS電界効果トランジスタ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭63-289871
  
• 特開平3-240274
  
• 特開昭61-164263