Pat
J-GLOBAL ID：200903066574133145
プラズマ化学気相成長法とその装置及び多層配線の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995205592
Publication number (International publication number)：1996097208
Application date： Jun. 06, 1991
Publication date： Apr. 12, 1996
Summary：
【要約】【課題】 段差被覆性が良く、サブミクロンのアルミ配線間スペースの埋設が可能で、かつ、膜中水分量が少なく、耐クラック性,耐ストレスマイグレーション性,スルーホール性,絶縁性に優れた多層配線層間膜用プラズマCVD膜を提供し、工程数の低減による歩留まり向上及びコスト低減と、多層配線の高信頼性化を達成する。【解決手段】 反応ガスとして、TEOSとオゾンを用い、パルスジェネレータ40から、周期1秒、デューティー40から60%のパルスを送り、高周波電源36および39からシャワー電極19に印加する高周波電力を、周期1秒、デューティー40から60%でオン・オフする事により、約1nmのTEOSとオゾンの熱CVD膜の形成、熱CVD膜のプラズマ膜への改質,約10nmのプラズマTEOS・CVD膜の形成が繰り返される。これにより、プラズマTEOS・CVD膜と同等の膜質を持ち、段差被覆性、微細配線埋め込み性の優れた、層間絶縁膜が形成される。
Claim (excerpt)：
2種以上の周波数の高周波電圧を印加し、その内の一部或いは全部の高周波電力を周期的に変化させながら、所望の薄膜を形成することを特徴とするプラズマ化学気相成長法。
IPC (7)：
H01L 21/316
, C23C 16/50
, H01L 21/205
, H01L 21/31
, H01L 21/3205
, H01L 21/768
, H05H 1/46
H01L 21/88 K
, H01L 21/90 P
Cited by examiner (7)
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