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J-GLOBAL ID：200903066584731172

サージ防護デバイス

Inventor： 林 豊 ,  佐藤 正明 ,  前屋敷 芳樹
Applicant, Patent owner： 工業技術院長 ,  株式会社サンコーシヤ ,  青梅コスモス電機株式会社
Agent (2)： 工業技術院電子技術総合研究所長 (外2名) ,  福田 武通 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991238950
Publication number (International publication number)：1993055554
Application date： Aug. 27, 1991
Publication date： Mar. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】 二端子ブレーク・オーバ型で、縦形のサージ防護デバイスにおいて、構造的な観点から、サージ耐量を向上させる。【構成】 第一半導体領域21の一方の主面側に、第一半導体領域21とpn接合を形成する第二半導体領域22を設ける。第二半導体領域22の中に、長辺と短辺を有する矩形の第三領域23を複数個、短辺方向に並設する。第二半導体領域と22と第三領域23とはそれらの表面において短絡させる。第一半導体領域21の他方の主面側に、長辺と短辺を有する矩形の第四領域24を複数個、短辺方向に並設する。第四領域24の並設方向と第三領域の並設方向とは、互いに直交させる。

Claim (excerpt)：

対向する両主面を持つ第一半導体領域の一方の主面側に設けられ、該第一半導体領域の導電型とは逆導電型で該第一半導体領域との間でpn接合を形成する第二の半導体領域と,上記第二半導体領域に接触し、該第二半導体領域中に該第二半導体領域にとっての少数キャリアを注入することができ、少なくとも上記主面に沿う一断面においては互いに並設関係にある複数の第三領域と,上記第一半導体領域の上記一方の主面に対向する他方の主面側に設けられ、該第一半導体領域中に該第一半導体領域にとっての少数キャリアを注入することができ、少なくとも上記一断面と異なる他の一断面においては互いに並設関係にある複数の第四領域とを有し,該複数の第四領域の各々にオーミック接触し、かつ第一のデバイス端子に接続した第一の電極と、上記第二半導体領域と上記複数の第三領域の各々とに共通にオーミック接触し、かつ第二のデバイス端子に接続した第二の電極との間に、上記pn接合を逆バイアスする極性で降伏電圧以上の電圧のサージが印加されると降伏し、該第一、第二のデバイス端子間にてサージ電流を吸収し始めると共に、該降伏後、該各第四領域から上記第一半導体領域への上記少数キャリアの注入と上記第三領域から上記第二半導体領域への上記少数キャリアの注入との相乗効果により、上記吸収し始めたサージ電流の大きさがブレーク・オーバ電流以上になると正帰還現象を介してブレーク・オーバし、上記第一、第二のデバイス端子間を絶対値において相対的に低電圧のクランプ電圧に移行させながらサージ電流を吸収する二端子ブレーク・オーバ型のサージ防護デバイスであって;上記互いに並設関係にある上記複数の第三領域は、各々、該並設方向に沿っては相対的に短寸法であり、該並設方向と直交する方向には相対的に長寸法の平面形状を有し;上記互いに並設関係にある上記複数の第四領域も、各々、該並設方向に沿っては相対的に短寸法であり、該並設方向と直交する方向には相対的に長寸法の平面形状を有する一方で;上記複数の第三領域の上記並設方向と、上記複数の第四領域の上記並設方向とは、平面投影的に見て互いに角度を置いて交叉していること;を特徴とするサージ防護デバイス。

IPC (2)：

H01L 29/74 ,  H01L 29/747

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開平3-136373
  
• 特開昭47-026086
  
• 特公昭52-006078
  
• 特開平3-155675
  
• 特開平1-225359