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J-GLOBAL ID：200903066586873721

半導体装置およびその製造方法

Inventor：
今村 隆文

About 今村 隆文


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995004776
Publication number (International publication number)：1996195402
Application date： Jan. 17, 1995
Publication date： Jul. 30, 1996
Summary：
【要約】【目的】 パッケージへペレットをマウントする際にペレットの反りを極力低減することのできる半導体装置およびその製造方法を提供する。【構成】 GaAs基板11におけるFET17下の基板厚が他の領域下の基板厚よりも薄くなるように基板の裏面側に開口する凹部18が形成され、凹部18の内部には、FET17下の凹部18の内面で基板11に接合されるとともにこの接合領域19a以外では基板11と接触しない空間部21を有する、FET17から生じる熱を放熱するためのPHS19が形成されている。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に熱発生源となるデバイスが形成され、前記半導体基板の裏面側に前記デバイスから生じる熱を放熱するための放熱用金属が形成された半導体装置において、前記半導体基板に、該半導体基板における前記デバイス下方の基板厚が他の領域下方の基板厚よりも薄くなるように前記半導体基板の裏面側に開口する凹部が形成され、該凹部の内部には、前記デバイス下方の前記凹部の内面で前記半導体基板に接合されるとともにこの接合部分以外では前記半導体基板と接触しない空間部を有する放熱用金属が形成されたことを特徴とする半導体装置。
IPC (3)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 23/40
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
  • 半導体装置およびその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-123730   Applicant：松下電器産業株式会社
  • 半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-186018   Applicant：日本電気株式会社
  • 特開平4-165630
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