薄膜トランジスタおよびその製造方法

Inventor： , , , , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：吉田茂明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996306626
Publication number (International publication number)：1998150198
Application date： Nov. 18, 1996
Publication date： Jun. 02, 1998
Summary：

【要約】【課題】導電型の異なるポリシリコン層が接続される構成を有する薄膜トランジスタにおいて、不純物が拡散することによる不具合の発生を防止した薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。【解決手段】ドレイン6、チャネル7、ソース8は、第2酸化膜4の表面上に、ポリシリコンで一体に形成されている。ドレイン6は、パッド層3(第2の多結晶半導体層)の上面に達するように形成されたコンタクトホール5を介して、パッド層3に接続するように形成されている。そして、コンタクトホール5(開口部)の底部に位置するパッド層3にボロン注入領域BRが形成されている。

Claim (excerpt)：

絶縁膜上に形成され、チャネル層を規定するソース・ドレイン層の一方である第1導電型の第1の多結晶半導体層と、前記絶縁膜内に形成され、前記第1の多結晶半導体層と電気的に接続される第2導電型の第2の多結晶半導体層とを備える薄膜トランジスタであって、前記第2の多結晶半導体層から前記第1の多結晶半導体層への第2導電型不純物の侵入による導電型の改変を防止する導電型改変防止構造を備える薄膜トランジスタ。

IPC (4)：

H01L 29/786 , H01L 21/265 , H01L 27/12 , H01L 21/336

FI (6)：

H01L 29/78 616 T , H01L 27/12 Z , H01L 21/265 P , H01L 29/78 613 B , H01L 29/78 616 V , H01L 29/78 616 K

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-277498 Applicant：セイコーエプソン株式会社
特開平4-276658
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-001441 Applicant：セイコーエプソン株式会社

Show all

Return to Previous Page