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J-GLOBAL ID：200903066588870622

磁気抵抗素子,磁気誘導素子及び薄膜磁気ヘッド

Inventor： 安宅 豊路 ,  麓 孝文 ,  大久保 恵司 ,  斎藤 修 ,  岡村 祐子 ,  長野 恵
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 山田 稔
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994004320
Publication number (International publication number)：1995225924
Application date： Jan. 20, 1994
Publication date： Aug. 22, 1995
Summary：

【要約】【目的】 結合交換膜の電気的抵抗値を適正化することによって、磁気抵抗変化率を大きくし、感度の向上した磁気抵抗素子を実現すること。【構成】 磁気抵抗素子20は、基板1の表面側に、補助膜31としてのCu膜と、MnFeベースにCu,Ni,PdまたはCoが添加された交換結合膜32と、磁気抵抗効果膜33としてのNiが82at. %NiFe膜と、非磁性膜34と、シャントバイアス膜または軟磁性バイアス膜からなる横バイアス膜35とが順次積層された構造を有している。交換結合膜32は、Cu,Ni,PdまたはCoの添加によって、その電気的抵抗値がMnFe合金膜のそれに比して大きいにので、センサ電流が交換結合膜32へ分流し難く、見かけ上、抵抗変化量が増大し、相対的に磁気抵抗変化率が向上する。

Claim (excerpt)：

基体表面側に、交換結合膜に隣接した単層構造の磁気抵抗効果膜を有する磁気抵抗素子において、前記交換結合膜は、Mn50at. %のMnFeに対してCu,Ni,PdおよびCoからなる群から選ばれた少なくとも1種の添加物が25at. %以下の添加物総濃度で添加された合金膜であることを特徴とする磁気抵抗素子。

IPC (4)：

G11B 5/39 ,  G11B 5/31 ,  H01F 10/16 ,  H01L 43/08