Pat
J-GLOBAL ID:200903066597923542
エステル化合物、高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (3):
小島 隆司
, 重松 沙織
, 小林 克成
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003330904
Publication number (International publication number):2004143153
Application date: Sep. 24, 2003
Publication date: May. 20, 2004
Summary:
【解決手段】 下記一般式(1)で示されるエステル化合物。 【化1】(式中、A1は炭素-炭素二重結合を有する重合性官能基を示す。A2はフランジイル、テトラヒドロフランジイル又はオキサノルボルナンジイルから選ばれる2価の基を示す。R1、R2はそれぞれ独立に炭素数1〜10の1価炭化水素基を示す。又は、R1、R2は互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に脂肪族炭化水素環を形成してもよい。R3は水素原子又はヘテロ原子を含んでもよい炭素数1〜10の1価炭化水素基を示す。)【効果】 本発明のエステル化合物から得られる高分子化合物をベース樹脂としたレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、感度、解像性、エッチング耐性に優れているため、電子線や遠紫外線による微細加工に有用である。【選択図】 なし
Claim (excerpt):
下記一般式(1)で示されるエステル化合物。
IPC (7):
C07D307/12
, C07D307/00
, C07D307/33
, C07D493/08
, C08F20/26
, C08F32/00
, C08G61/08
FI (7):
C07D307/12
, C07D307/00
, C07D493/08 A
, C08F20/26
, C08F32/00
, C08G61/08
, C07D307/32 Q
F-Term (41):
4C037CA07
, 4C037XA02
, 4C071AA03
, 4C071BB01
, 4C071BB02
, 4C071CC11
, 4C071CC12
, 4C071EE04
, 4C071FF15
, 4C071GG03
, 4C071HH09
, 4C071LL05
, 4C071LL07
, 4J032BA07
, 4J032BA08
, 4J032BB01
, 4J032BB03
, 4J032CA21
, 4J032CA34
, 4J032CA45
, 4J032CA68
, 4J032CG02
, 4J100AL03Q
, 4J100AL04Q
, 4J100AL08P
, 4J100AR02Q
, 4J100AR09P
, 4J100AR09Q
, 4J100AR11P
, 4J100AR11Q
, 4J100AR31Q
, 4J100AR32P
, 4J100AR32Q
, 4J100BA15P
, 4J100BA20P
, 4J100BC53P
, 4J100CA01
, 4J100CA03
, 4J100DA61
, 4J100JA37
, 4J100JA38
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (6)
-
特公平2-27660号公報
-
特開昭62-115440号公報
-
特開平2-80515号公報
-
レジスト組成物とレジストパターンの形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-251772
Applicant:富士通株式会社
-
特開平2-19847号公報
-
特開平4-215661号公報
Show all
Cited by examiner (4)