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J-GLOBAL ID:200903066603192261

有機電子素子形成用材料の解析方法及びその解析装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 吉村 俊一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003308072
Publication number (International publication number):2005077246
Application date: Aug. 29, 2003
Publication date: Mar. 24, 2005
Summary:
【課題】有機電子素子形成用材料を用いて有機電子素子を形成する場合の膜界面現象を解析する新しい解析方法及び解析装置を提供する。【解決手段】スラブ型の光導波路を利用したスペクトル測定手段と、1又は2以上の異種分析手段とを用いた有機電子素子形成用材料の解析方法であって、前記有機電子素子形成用材料に経時的な変化を生じさせる外的要素を印加して、当該有機電子素子形成用材料と前記光導波路との界面の状態変化の追跡をスペクトルデータとして出力し、当該状態変化を時間軸展開して、前記有機電子素子形成用材料に生じる変化を段階毎に前記異種分析手段で測定した分析データを出力し、前記スペクトルデータと、前記各段階毎の分析データとを比較可能に出力する構成とすることにより、上記課題を解決した。【選択図】図6
Claim (excerpt):
スラブ型の光導波路を利用したスペクトル測定手段と、1又は2以上の異種分析手段とを用いた有機電子素子形成用材料の解析方法であって、前記有機電子素子形成用材料に経時的な変化を生じさせる外的要素を印加して、当該有機電子素子形成用材料と前記光導波路との界面の状態変化の追跡をスペクトルデータとして出力し、当該状態変化を時間軸展開して、前記有機電子素子形成用材料に生じる変化を段階毎に前記異種分析手段で測定した分析データを出力し、前記スペクトルデータと、前記各段階毎の分析データとを比較可能に出力することを特徴とする有機電子素子形成用材料の解析方法。
IPC (4):
G01N21/27 ,  G01N21/33 ,  G01N21/64 ,  H05B33/14
FI (4):
G01N21/27 C ,  G01N21/33 ,  G01N21/64 G ,  H05B33/14 B
F-Term (37):
2G043AA01 ,  2G043BA14 ,  2G043CA05 ,  2G043EA01 ,  2G043EA14 ,  2G043FA03 ,  2G043HA01 ,  2G043HA02 ,  2G043HA05 ,  2G043HA11 ,  2G043HA12 ,  2G043HA15 ,  2G043JA01 ,  2G043KA02 ,  2G043KA03 ,  2G043LA02 ,  2G043NA01 ,  2G059AA05 ,  2G059BB08 ,  2G059BB15 ,  2G059EE02 ,  2G059EE07 ,  2G059EE12 ,  2G059GG07 ,  2G059GG10 ,  2G059HH02 ,  2G059HH03 ,  2G059JJ01 ,  2G059JJ11 ,  2G059JJ12 ,  2G059JJ13 ,  2G059JJ17 ,  2G059JJ24 ,  2G059KK02 ,  2G059MM01 ,  2G059PP04 ,  3K007DB03
Patent cited by the Patent:
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