プラズマ処理装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：森道雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994326840
Publication number (International publication number)：1996186094
Application date： Dec. 28, 1994
Publication date： Jul. 16, 1996
Summary：

【要約】【構成】処理容器19と、この処理容器19内に設けられた上部電極12および試料台を兼ねた下部電極21と、これら上部電極12と下部電極21との間に高周波を印加する手段29とを備え、前記下部電極21が電極本体21bとその試料載置面を被覆する絶縁体21aとからなり、前記絶縁体21aの厚みが試料載置面の中心から周辺に向かうに従って薄くなっていることを特徴とするプラズマ処理装置。【効果】ウエハ面内のプラズマ処理の均一性を安定して高めることができる。

Claim (excerpt)：

処理容器と、この処理容器内に設けられた上部電極および試料台を兼ねた下部電極と、これら上部電極と下部電極との間に高周波を印加する手段とを備えたプラズマ処理装置において、前記下部電極が電極本体とその試料載置面を被覆する絶縁体とからなり、前記絶縁体の厚みが試料載置面の中心から周辺に向かうに従って薄くなっていることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00 , H05H 1/46

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

半導体製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-085977 Applicant：株式会社日立製作所
プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-240897 Applicant：株式会社日立製作所
基体支持機構およびこれを用いた基体処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-294502 Applicant：キヤノン株式会社

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