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J-GLOBAL ID：200903066629614822
長波長帯面発光半導体レーザ
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
光石 俊郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992279701
Publication number (International publication number)：1994132605
Application date： Oct. 19, 1992
Publication date： May. 13, 1994
Summary：
【要約】【目的】 InPと格子定数の異なるIII -V族半導体で構成した長波長帯面発光半導体レーザを提供することにある。【構成】 本発明は、バッファ層と格子整合するIII -V族半導体により面発光半導体レーザ構造を構成することを特徴とする。
Claim (excerpt)：
InP基板上に活性層の組成と同じ格子定数を有するバッファ層と、前記バッファ層に格子整合する光学波長の1/4の膜厚でInAlAsとIn1-x1Gax1As1-y1Py1(0≦x1≦1,0≦y1≦1)とを交互にエピタキシャル成長させてなる第一光反射層と、前記バッファ層に格子整合するIn1-x2Gax2As1-y2Py2(0≦x2≦1,0≦y2≦1)からなる第一クラッド層と、In1-x3Gax3As1-y3Py3(0≦x3≦1,0≦y3≦1)からなる活性層と、前記バッファ層に格子整合するIn1-x4Gax4As1-y4Py4(0≦x4≦1,0≦y4≦1)からなる第二クラッド層と、前記バッファ層に格子整合する光学波長の1/4の膜厚でInAlAsとIn1-x5Gax5As1-y5Py5(0≦x5≦1,0≦y5≦1)とを交互にエピタキシャル成長させてなる第二光反射層とを順に積層してなることを特徴とする長波長帯面発光半導体レーザ。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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