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J-GLOBAL ID：200903066630350235

プラズマCVD装置

Inventor： 寺山 暢之 ,  中曾根 正美
Applicant, Patent owner： 神港精機株式会社
Agent (1)： 田中 浩 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992237765
Publication number (International publication number)：1994057435
Application date： Aug. 12, 1992
Publication date： Mar. 01, 1994
Summary：

【要約】【目的】 基板が高エネルギの電子で衝撃されるのを防止して該基板を低温に維持しつつこれに反応膜を形成する。【構成】 真空槽2と、該真空槽にこれと電気的に絶縁された状態で結合されたプラズマ源1と、上記真空槽の端部にプラズマ源と対向して配置されたプラズマ反射電極17と、上記プラズマ源の周囲に配置されたアーク放電助長用の磁場を発生する主コイル14と、上記プラズマ反射電極の周囲近くに配置されたプラズマをビーム状に閉じ込める磁場を発生する補助コイル20とからなり、基板11はビーム状プラズマの径方向外周部で且つ放電領域外に配置されることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

減圧され且つ接地された真空槽と、該真空槽にこれと電気的に絶縁された状態で結合されたプラズマ源と、上記真空槽内の端部に上記プラズマ源と対向して配置されたプラズマ反射電極と、少なくとも上記プラズマ源の周囲に配置されて該プラズマ源内にアーク放電を助長する磁場を発生する第1のコイルおよび上記プラズマ反射電極の周囲近くに配置されて上記プラズマ源と反射電極との間でプラズマをビーム状に閉じ込める磁場を発生する第2のコイルとからなり、基板は上記ビーム状プラズマの径方向の外周部で且つ放電領域外に配置されるプラズマCVD装置。

IPC (2)：

C23C 16/50 ,  H05H 1/46

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 特開平2-221372
  
• 特開昭63-137159
  
• 特開平1-104765
  

Cited by examiner (3)

• 特開平2-221372
  
• 特開昭63-137159
  
• 特開平1-104765