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J-GLOBAL ID：200903066634940770

光導波路装置及びその製造方法

Inventor： 荒川 富行 ,  小野 英輝 ,  香月 陽一郎 ,  小柴 正則 ,  辻 寧英
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社 ,  小柴 正則 ,  辻 寧英
Agent (1)： 前田 実
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001127227
Publication number (International publication number)：2002323633
Application date： Apr. 25, 2001
Publication date： Nov. 08, 2002
Summary：

【要約】【課題】 小型化が可能で、製造が容易な光導波路装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 SOI基板1の単結晶シリコン層4上にシリコン酸化膜5を堆積させ、この上にレジストパターン6aを形成し、これをマスクとしてシリコン酸化膜5を単結晶シリコン層4が現われるまでエッチング除去してシリコン酸化膜パターン5aを形成する。レジストパターン6a除去後、シリコン酸化膜パターン5aをマスクとして単結晶シリコン層4を下部クラッドとなる埋め込み酸化膜3が現われるまでエッチング除去して単結晶シリコン層からなるコアパターン4aを形成する。シリコン酸化膜パターン5a除去後、埋め込み酸化膜3及び単結晶シリコン層4上に上部クラッドとなるシリコン酸化膜7を堆積させる。

Claim (excerpt)：

基部と埋め込みシリコン酸化膜と単結晶シリコン層とをこの順に積層させた構造を持つSOI基板を有する光導波路装置において、上記SOI基板の単結晶シリコン層のパターンをコアとし、上記SOI基板の埋め込みシリコン酸化膜を下部クラッドとしたことを特徴とする光導波路装置。

IPC (3)：

G02B 6/13 ,  G02B 6/12 ,  G02B 6/122

FI (3)：

G02B 6/12 M ,  G02B 6/12 B ,  G02B 6/12 F

F-Term (10)：

2H047KA03 ,  2H047KA12 ,  2H047LA19 ,  2H047MA07 ,  2H047PA01 ,  2H047PA24 ,  2H047QA02 ,  2H047TA01 ,  2H047TA32 ,  2H047TA44

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 光導波路装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-194408   Applicant：沖電気工業株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• ”IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS”, 199704, Vol.9,NO.4, p.473〜474
• ”APPLIED PHYSICS LETTERS”, 20000911, Vol.77,No.11, p.1617〜1619
• 「C-11-12 シリコン光導波路のFDTD法解析」
• 「C-11-12 シリコン光導波路のFDTD法解析」