Pat

J-GLOBAL ID：200903066637018325

マイクロ波プラズマCVD装置及びCVD方法

Inventor： 鈴木 伸昌
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 若林 忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995089059
Publication number (International publication number)：1996283947
Application date： Apr. 14, 1995
Publication date： Oct. 29, 1996
Summary：

【要約】【構成】 プラズマ発生室内の成膜室側とは対向側に高周波供給手段が設けられているマイクロ波プラズマCVD装置、およびそれを用いて基体支持体上に被覆基体を設置する工程と、プラズマ発生室及び成膜室内を排気する工程と、プラズマ発生室及び成膜室内にガスを導入し所定の圧力に保持する工程と、プラズマ発生室にマイクロ波を導入すると共に高周波を供給してプラズマを発生せしめ基体上に薄膜を形成する工程とを含むマイクロ波プラズマCVD方法。【効果】 低温で高品質膜を高速に形成するために、高密度プラズマを維持しつつ、用途に応じて、プラズマ中の電子温度、プラズマ電位、プラズマと基板表面との間に形成されるシース電位、基板への入射イオンエネルギーを制御できる。

Claim (excerpt)：

プラズマ発生室と、該プラズマ発生室に連結した成膜室と、該成膜室内に設置される被覆基体を支持する手段と、該プラズマ発生室の周囲の一部に配されたマイクロ波導入手段と、該プラズマ発生室及び該成膜室内にガスを導入する手段と、該プラズマ発生室及び該成膜室内を排気する手段とで構成されるマイクロ波プラズマCVD装置であって、該プラズマ発生室内の該成膜室側とは対向側に高周波供給手段が設けられていることを特徴とするマイクロ波プラズマCVD装置。

IPC (4)：

C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 ,  G11B 11/10 541

FI (4)：

C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 B ,  G11B 11/10 541 F