Pat

J-GLOBAL ID：200903066642648353

半導体装置の製造方法

Inventor： 多田 ▲吉▼秀
Applicant, Patent owner： 川崎製鉄株式会社
Agent (1)： 金山 敏彦 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992017177
Publication number (International publication number)：1993218416
Application date： Jan. 31, 1992
Publication date： Aug. 27, 1993
Summary：

【要約】【目的】 微細化に適し、動作性能のよい半導体装置を製造する。【構成】 Si基板10上に酸化膜30を形成した後、マスク用の線状パターンを形成する(S1)。異方性エッチングにより凹部40を形成し、突出部20を形成する(S2)。そして、ゲート電極32を形成後(S3〜S5)、斜めイオン注入により、突出部20の上部にのみイオン注入を行う(S6)。これにより、この突出部20内にトランジスタが形成される。すなわち、突出部20のゲート電極32にカバーされている中央部分がチャネル領域とされており、その両側がドレイン領域22、ソース領域24とされている。そして、ドレイン、ソース、チャネルの各領域の下方には基板の組成がそのまま残る素子分離部28が形成されている。このため、トランジスタの下方に酸化物絶縁層が不要となり、製造が簡単に行える。

Claim (excerpt)：

異方性エッチングにより半導体基板に複数の溝を形成し、突出部を形成する突出部形成工程と、形成された突出部の下部に不純物非混入領域を残留させて、上部に不純物混入領域を形成する不純物導入工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 29/784 ,  H01L 27/092 ,  H01L 27/12

FI (2)：

H01L 29/78 301 X ,  H01L 27/08 321 N