Pat

J-GLOBAL ID：200903066645852806

レーザをモードロックするのに用いられる可飽和ブラグリフレクタ

Inventor： ジョン エドワード カニングハム ,  ウェイン ハーベイ ノックス
Applicant, Patent owner： ルーセント テクノロジーズ インコーポレイテッド
Agent (1)： 三俣 弘文
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000220482
Publication number (International publication number)：2001068771
Application date： Jul. 21, 2000
Publication date： Mar. 16, 2001
Summary：

【要約】【課題】 本発明の目的は、モードロックレーザで使用される可飽和ブラグリフレクタ内に量子移動吸収体層を導入した可飽和ブラグリフレクタを提供する。【解決手段】 複数のエピタキシャル層を含む多層積層体を有し、前記エピタキシャル層は、低屈折率の半導体材料製の層と高屈折率の半導体材料製の層が交互に重ねられてあり、前記低屈折率の層は、レーザの動作波長の4分の1の光学厚さを有し、前記多層積層体の少なくとも上部の2つの層を除いて、前記低屈折率層は、動作波長の4分の1の光学厚さを有し、前記少なくとも2つの上部層は、動作波長の8分の1の光学厚さを有し、吸収材料製の量子移動が、前記8分の1波長の層の間に挟まれた高屈折率材料の層の各々内に配置されていることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

複数のエピタキシャル層を含む多層積層体を有し、前記エピタキシャル層は、低屈折率の半導体材料製の層と高屈折率の半導体材料製の層が交互に重ねられており、前記低屈折率の層は、レーザの動作波長の4分の1の光学厚さを有し、前記多層積層体の少なくとも上部の2つの層を除いて、前記低屈折率層は、動作波長の4分の1の光学厚さを有し、前記少なくとも2つの上部層は、動作波長の8分の1の光学厚さを有し、吸収材料製の量子井戸が、前記8分の1波長の層の間に挟まれた高屈折率材料の層の各々内に配置されていることを特徴とするレーザをモードロックするのに用いられる可飽和ブラグリフレクタ。

IPC (4)：

H01S 3/098 ,  G02F 1/017 506 ,  G02F 1/355 501 ,  H01S 3/113

FI (4)：

H01S 3/098 ,  G02F 1/017 506 ,  G02F 1/355 501 ,  H01S 3/113