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J-GLOBAL ID：200903066653708889
加速度センサ及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
恩田 博宣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992108020
Publication number (International publication number)：1993304303
Application date： Apr. 27, 1992
Publication date： Nov. 16, 1993
Summary：
【要約】【目的】 新規な構造にて高精度、高信頼性を図ることができる加速度センサを提供することにある。【構成】 単結晶シリコン基板8上にSiO2 膜9を介して単結晶シリコン基板1が接合され、その単結晶シリコン基板1は薄膜化されている。単結晶シリコン基板1には片持ち梁13が形成され、片持ち梁13における単結晶シリコン基板1の深さ方向の厚さL1 に対し単結晶シリコン基板1の表面に平行な方向の厚さL2 の方が小さく、基板の表面に平行な方向に可動となっている。又、片持ち梁13の表面、及び、片持ち梁13と対向する単結晶シリコン基板1がSiO2 膜5にて被覆され、容量型加速度センサにおける電極ショートが防止されている。さらに、単結晶シリコン基板1には信号処理回路10が形成され、信号処理回路10により片持ち梁13の動作に伴う信号処理が行われる。
Claim (excerpt)：
第1の単結晶シリコン基板上に絶縁膜を介して接合され、かつ薄膜化された第2の単結晶シリコン基板と、前記第2の単結晶シリコン基板に形成され、その表面に平行な方向に可動な梁と、前記第2の単結晶シリコン基板に形成され、加速度による前記梁の動作に伴う信号処理を行う信号処理回路とを備えたことを特徴とする加速度センサ。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (10)
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