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J-GLOBAL ID：200903066659266870
マグネトロンRIEドライエッチング方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
菅野 中
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992310525
Publication number (International publication number)：1994163468
Application date： Nov. 19, 1992
Publication date： Jun. 10, 1994
Summary：
【要約】【目的】 ウェハー上にメタル系のデポあるいは再付着物を生じさせずに、ドライエッチングを行なう。【構成】 磁界とプラズマによりCl2 ,CF4 ,N2 等のガスを励起してメタルのエッチングを行なうに際して、RFを1秒間に200〜500msec切断することにより、メタル系物質のデポあるいは再付着を防止する。
Claim (excerpt)：
マイクロ波の印加により反応性ガスをプラズマ化し、かつ磁界の印加により活性化して、メタルのエッチングを行なうマグネトロンRIEドライエッチング方法において、マイクロ波の入力,停止を周期的に繰り返して行なうことを特徴とするマグネトロンRIEドライエッチング方法。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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