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J-GLOBAL ID：200903066664876970
高周波用半導体外囲器
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
大胡 典夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995310681
Publication number (International publication number)：1997148470
Application date： Nov. 29, 1995
Publication date： Jun. 06, 1997
Summary：
【要約】【課題】 内部に搭載されたマイクロ波半導体回路等の電子回路に影響を与えないで、高い周波数帯域を扱える高周波用半導体外囲器を提供すること。【解決手段】 上蓋および底部、壁部の各部分から構成され、内部にマイクロ波半導体回路を収納する高周波用半導体外囲器11において、この高周波用半導体外囲器11を構成する上蓋14を、内側の面が金属層14bで被覆された絶縁体14aで形成し、かつ、金属層14cに沿って想定される上蓋14の中心からその周辺に向かう直線それぞれが、絶縁体が露出した少なくとも1つの空隙14cと交差している。
Claim (excerpt)：
上蓋および底部、壁部の各部分から構成され、内部にマイクロ波半導体回路を収納する高周波用半導体外囲器において、この高周波用半導体外囲器を構成する前記上蓋を、内側の面が金属層で被覆された絶縁体で形成し、かつ、前記金属層に沿って想定される前記上蓋の中心からその周辺方向に向う直線それぞれが、前記絶縁体が露出した少なくとも1つの空隙と交差することを特徴とする高周波用半導体外囲器。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 23/04 F
, H05K 9/00 C
