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J-GLOBAL ID：200903066669279104

半導体能動素子

Inventor： 村上 清一 ,  土屋 富志夫 ,  永井 治男
Applicant, Patent owner： アンリツ株式会社
Agent (1)： 小池 龍太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992224776
Publication number (International publication number)：1994053546
Application date： Jul. 31, 1992
Publication date： Feb. 25, 1994
Summary：

【要約】【目的】光出力のモニタを非常に平易に行うことができる半導体能動素子を提供する。【構成】請求項1の発明は、同一素子上に複数の励起領域3、4と、その延長上に設けられた吸収領域5、6とが形成し、励起領域の形状は相互に同一または相似形とした。請求項2の発明は、同一素子上に励起領域と受光領域とを設け、素子の外部に受光素子を必要とはしない構造である。

Claim (excerpt)：

半導体基板(1)と、該半導体基板上に該半導体基板の全域にわたって形成された活性層(2)と、該活性層上に活性層の一つの端縁から内部に延びるように形成された第一の励起領域(3)と、前記活性層の一つの端縁から内部に延びるように形成された第二の励起領域(4)と、第一及び第二の励起域の延長部にそれぞれ形成された第一及び第二の吸収領域(5、6)と、前記第一及び第二の励起領域の光出力端面にそれぞれ形成された第一及び第二の反射防止膜(7、8)とを備え、前記第一及び第二の励起領域の形状が同一または相似であることを特徴とする半導体能動素子。

IPC (3)：

H01L 33/00 ,  G01C 19/72 ,  H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平1-161781
  
• 特開平2-091979
  
• 特開昭63-016690