Pat

J-GLOBAL ID：200903066670415690

ドライエッチング方法

Inventor： 柳田 敏治
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 小池 晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992105281
Publication number (International publication number)：1993283374
Application date： Apr. 01, 1992
Publication date： Oct. 29, 1993
Summary：

【要約】【目的】 SiO2 層間絶縁膜に微細な接続孔を開口する際のマイクロローディング効果を防止する。【構成】 高次フルオロカーボン化合物を用いてSiO2 層間絶縁膜2を炭素系ポリマーの側壁保護効果を利用しながらエッチングする場合、開口径の小さい第1の接続孔2aの内部ではこのSiO2 層間絶縁膜2からスパッタ放出される酸素原子の量が少なくなり、炭素系ポリマーの燃焼除去効率が低下して過剰に堆積し易くなる。これは、接続孔の側壁面のテーパー化や、エッチング速度の低下の原因となる。そこで、レジスト・マスク3や下層配線1に対する選択性を低下させない範囲でガス系に酸素系化合物を添加し、炭素系ポリマーの過剰な堆積を防止する。具体的には、c-C4 F8 (オクタフルオロシクロブタン)/O2 混合ガスが使用できる。

Claim (excerpt)：

一般式Cm Fn (ただしm,nは原子数を示す自然数であり、m≧2,n≦2mの条件を満足する。)で表されるフルオロカーボン化合物と、酸素を構成元素として有する酸素系化合物とを含むエッチング・ガスを用いてシリコン化合物層をエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭57-170535
  
• 特開平4-084427
  
• 特開昭55-061027
  
• 特開平3-276626