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J-GLOBAL ID：200903066678347678

ホトダイオード及びその製造方法

Inventor： オペルマン、クラウス-ギユンター
Applicant, Patent owner： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
Agent (1)： 富村 潔
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1997508001
Publication number (International publication number)：1999510318
Application date： Jul. 05, 1996
Publication date： Sep. 07, 1999
Summary：

【要約】SOI基板において、活性領域(6)は絶縁材料を充填されたトレンチ(4)によって完全に包囲される。このトレンチ(4)に隣接して、特にトレンチ(4)のトレンチ壁に配置されたドープ層からの拡散によって形成された第1のドープ領域(8)が配置される。この第1のドープ領域(8)と第2のドープ領域(12)とがホトダイオードのpn接合を形成する。

Claim (excerpt)：

担持体ウエハ(1)とその上に配置された絶縁層(2)とその上に配置された単結晶シリコン層(3)とを含む基板が設けられ、シリコン層(3)内にはこのシリコン層(3)の主面(5)から絶縁層(2)まで達し絶縁材料を充填されかつ活性領域(6)を完全に包囲する少なくとも1つのトレンチ(4)が設けられ、活性領域(6)内には第1の導電形にドープされトレンチ(4)に直接隣接ししかもシリコン層(3)の主面(5)から絶縁層(2)まで達する第1のドープ領域(8)が設けられ、活性層(6)内には第1の導電形とは逆の第2の導電形にドープされ第1のドープ領域(8)と共にpn接合を形成する第2のドープ領域(12)が設けられ、、シリコン層(3)の主面(5)には第1のドープ領域(8)及び第2のドープ領域(12)のためのコンタクト(15、16)がそれぞれ配置されているホトダイオード。