半導体集積装置のパターン検査装置及びパターン検査方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：石田敬 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998343220
Publication number (International publication number)：2000171404
Application date： Dec. 02, 1998
Publication date： Jun. 23, 2000
Summary：

【要約】【課題】半導体集積装置のパターンの配線間のスペース領域における致命的な欠陥を精度良く検出する。【解決手段】欠陥ダイと参照ダイのパターンの2値化画像から、行方向及び列方向の少なくとも一方に細長い画像を所定数画素毎に順次取り出して、該細長い画像毎に、各画素のグループ化に最適なグループ化用演算子を算出し、算出されたグループ化用演算子に応じて画素の各々をグループ化し、グループ毎に、欠陥を検出するための最適しきい値を設定し、最適しきい値を差画像のグレイレベル差と比較することにより配線間にある欠陥を検出するようにした、半導体集積装置のパターン検査装置及びパターン検査方法。

Claim (excerpt)：

第1及び第2の半導体集積装置上のパターンを走査して画素毎にグレイレベルが多値化された画像を取得するイメージ取得手段と、前記画素毎のグレイレベルを格納する画像メモリと、前記画像メモリから、行方向及び列方向の少なくとも一方の方向に配列された2以上の連続する所定数の画素からなる細長い画像を前記所定数単位に順次取り出して、該細長い画像毎に、該細長い画像に含まれる1つの画素のグループ化に最適なグループ化用演算子を、該細長い画像に含まれるすべての画素のグレイレベルに基づいて算出する最適演算子算出手段と、前記グループ化用演算子に応じて前記画素の各々をグループ化するためのグループ判別手段と、前記第1及び第2の半導体集積装置の対応する画素毎のグレイレベル差を格納する差画像メモリと、前記グループ毎に、前記グレイレベル差と比較して欠陥を検出するための最適しきい値を設定する手段と、前記最適しきい値を前記差画像メモリ内の差画像の各画素の前記グレイレベル差と比較することにより前記第1及び第2の半導体集積装置の何れかの欠陥を検出する欠陥判定手段と、を備える、半導体集積装置のパターン検査装置。

IPC (3)：

G01N 21/88 , G01B 11/30 , H01L 21/66

FI (3)：

G01N 21/88 645 A , G01B 11/30 A , H01L 21/66 J

F-Term (30)：

2F065AA49 , 2F065BB02 , 2F065CC20 , 2F065DD04 , 2F065FF04 , 2F065JJ03 , 2F065JJ26 , 2F065QQ03 , 2F065QQ08 , 2F065QQ13 , 2F065QQ24 , 2F065QQ25 , 2F065QQ33 , 2F065QQ42 , 2F065UU05 , 2G051AA61 , 2G051EA11 , 2G051EB01 , 2G051EC03 , 2G051ED04 , 2G051ED07 , 4M106AA01 , 4M106AA09 , 4M106BA04 , 4M106CA39 , 4M106DB04 , 4M106DB20 , 4M106DB21 , 4M106DJ11 , 4M106DJ14

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