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J-GLOBAL ID：200903066697622094
半導体素子
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴木 章夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991177371
Publication number (International publication number)：1994021348
Application date： Jun. 22, 1991
Publication date： Jan. 28, 1994
Summary：
【要約】【目的】 素子チップ単独で値の大きな抵抗やコンデンサ等の受動素子を含む回路の構成が可能な半導体素子を得る。【構成】 半導体素子チップ1の裏面に絶縁膜3、薄膜導体4、或いは薄膜抵抗5を用いて受動素子を一体形成し、これら受動素子を利用して回路を構成することで、受動素子を含む回路を半導体素子チップ単独で構成できる。
Claim (excerpt)：
半導体素子チップの裏面に形成した絶縁膜、薄膜導体、薄膜抵抗等を用いて受動素子を一体形成したことを特徴とする半導体素子。
Patent cited by the Patent：
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