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J-GLOBAL ID：200903066699340932
半導体レーザおよびその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
伊東 忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997299141
Publication number (International publication number)：1999135888
Application date： Oct. 30, 1997
Publication date： May. 21, 1999
Summary：
【要約】【課題】 SI-PBH型あるいはSI-BH型半導体レーザにおいて、電流ブロック領域を流れるリーク電流を減少させ、効率を向上させる。【解決手段】 メサ構造の両側に選択成長される電流ブロック領域を、Feドープされた高抵抗半導体層と、その上に形成されZn拡散の生じにくい非ドープ半導体層とより構成し、その際メサ構造の側壁面に沿った半導体層の成長を、気相成長雰囲気中に、1分子中にCl原子を1つ持つクロロカーボンを添加することにより抑止する。
Claim (excerpt)：
(100)面で画成され、第1の導電型を有する化合物半導体基板と、前記化合物半導体基板の一部に形成され、少なくとも(100)面で画成された基板表面と、前記基板表面上に形成された活性層と、前記活性層上に形成された第2の導電型を有する第1のクラッド層とを含むメサストライプ領域と、前記メサストライプ領域の両側に形成された一対の電流ブロック領域と、前記メサストライプ領域上に、前記一対の電流ブロック領域を覆うように形成された、第2の導電型を有する第2のクラッド層と、前記第2のクラッド層上に形成された第1の電極と、前記化合物半導体基板上に形成された第2の電極とを含む半導体レーザにおいて、前記電流ブロック領域の各々は、深い不純物元素を含む高抵抗領域と、前記高抵抗領域上に形成され、前記第2のクラッド層中の第2の導電型の不純物元素の拡散を抑止する拡散抑止領域とを含み、前記高抵抗領域と前記拡散抑止領域との境界面が、前記メサストライプ領域の側壁面上において、前記活性層よりも上で、前記メサストライプ領域の上面よりも下側に位置することを特徴とする半導体レーザ。
IPC (2)：
FI (2)：
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