Pat
J-GLOBAL ID：200903066700264340
有機物除去方法及びその方法を使用するための装置
Inventor：
,
,
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993290259
Publication number (International publication number)：1994224168
Application date： Nov. 19, 1993
Publication date： Aug. 12, 1994
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 処理速度を維持したまま処理温度を低温化し、かつ被処理物表面に異物(ウォーターマーク)を残さない有機物除去方法を提供する。【構成】 被処理物の表面の有機物を除去するための処理空間を有する処理室1内に、被処理物を支持するための支持手段と、アルコールをオゾンガス又はオゾン含有ガスに添加し固体表面に供給する手段とを有する有機物除去装置を準備し、少なくとも被処理物を処理室内に搬入する直前から有機物の除去が終わるまでの間は、混合ガスを処理室内へ連続的に供給し、被処理物を処理室の外から処理室内へ搬入し、処理室内へ搬入した被処理物を支持手段で支持し、被処理物に好ましい温度範囲内で、処理室内で支持された被処理物の表面の有機物を加熱することを特徴とする有機物除去方法が開示されている。
Claim (excerpt)：
半導体ウエハ表面のパターニングされたフォトレジスト層を除去するための処理空間を有する処理室内に、前記半導体ウエハを支持するための支持手段と、アルコールをオゾンガス又はオゾン含有ガスに添加した混合ガスを前記支持手段によって支持された前記半導体ウエハの表面に供給する手段とを有する有機物除去装置を準備し、少なくとも前記半導体ウエハを前記処理室内に搬入する直前から前記フォトレジスト層の除去が終わるまでの間は、前記混合ガスを前記処理室内へ連続的に供給し、前記半導体ウエハを前記処理室の外から前記処理室内へ搬入し、前記処理室内へ搬入した前記半導体ウエハを前記支持手段で支持し、前記半導体ウエハ中の半導体素子の素子欠陥が実質的に生じる温度よりも低い温度範囲内で、前記処理室内で支持された前記半導体ウエハの表面に形成された前記フォトレジスト層を加熱することを特徴とする有機物除去方法。
IPC (2)：
H01L 21/304 341
, G03F 7/42
