Pat
J-GLOBAL ID：200903066705720777
半導体装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992312499
Publication number (International publication number)：1994163878
Application date： Nov. 24, 1992
Publication date： Jun. 10, 1994
Summary：
【要約】【目的】ショットキーバリアダイオードとpn接合ダイオードを混成した半導体装置の周囲のガードリング領域に近接した部分で、pn接合ダイオード領域の間隔が広くなることを防いで高耐圧化を可能にする。【構成】pn接合ダイオード領域と等電圧の印加されるガードリング領域のpn接合ダイオード領域に対向する部分を突出させ、対向領域間の間隔および突出部相互間の間隔を、逆電圧印加時にpn接合より広がる空乏層がつながる程度に狭くすることにより、ショットキーバリア領域の逆方向漏れ電流を低減することができる。
Claim (excerpt)：
第一導電形の半導体層の表面層に環状の第二導電形のガードリング領域に囲まれて複数の第二導電形のpn接合ダイオード領域が形成され、ガードリング領域およびpn接合ダイオード領域を含めて前記半導体層表面に、その半導体層とショットキーバリアを形成する金属層の接するものにおいて、ガードリング領域がpn接合ダイオード領域に対向する部分において突出して形成されたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2)：
Return to Previous Page
