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J-GLOBAL ID：200903066713204184

単結晶シリコンウェーハの歪付け方法

Inventor： 桝村 寿 ,  中野 正己 ,  工藤 秀雄
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社
Agent (1)： 石原 詔二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994109360
Publication number (International publication number)：1995321119
Application date： May. 24, 1994
Publication date： Dec. 08, 1995
Summary：

【要約】【目的】 従来よりも高密度の表面欠陥(最大で107 cm-2程度)を安定して発生させることができ、デバイスプロセスでの重金属汚染のゲッタリングに役立ち、ウェーハ裏面からの発塵性を低下できる単結晶シリコンウェーハの裏面歪付け方法を提供する。【構成】 単結晶シリコンウェーハの裏面を砥粒と研磨布で研磨することにより該裏面に歪層を形成するにあたり、平均粒径0.1〜10μmのシリカ粒子を含むpH4〜9の研磨液を用いる。

Claim (excerpt)：

単結晶シリコンウェーハの裏面を砥粒と研摩布で研摩することにより該裏面に歪層を形成するにあたり、平均粒径0.1〜10μmのシリカ粒子を含むpH4〜9の研摩液を用いることを特徴とする単結晶シリコンウェーハの歪付け方法。

IPC (2)：

H01L 21/322 ,  H01L 21/304 321