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J-GLOBAL ID：200903066713904682
半導体基板及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994215028
Publication number (International publication number)：1996078427
Application date： Sep. 08, 1994
Publication date： Mar. 22, 1996
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 十分なゲッタリング効果を得ることによる、高品質で信頼性の高い半導体基板及びその製造方法を提供する。【構成】 単結晶シリコン層1と非単結晶シリコン層2との界面の一部に、水素アニール工程において還元により完全には消失せず、かつ、裏面に生じる凹凸が素子製作に影響を及ぼさない厚さに形成された酸化シリコン層3を備える。その結果、水素アニール時において、非単結晶シリコン層2が単結晶シリコン層1の結晶をシードとして固相成長する割合を小さく押さえ、裏面多結晶シリコン層2の実効的な厚さを確保したので、十分なゲッタリング効果を得ることができる。単結晶シリコン層の裏面に所定の厚さの酸化シリコン層を選択的に形成し、さらに酸化シリコン層の表面及び露出した裏面に非単結晶シリコン層を形成した後、水素アニールを施す。
Claim (excerpt)：
単結晶シリコン層と、前記単結晶シリコン層の素子が形成されない側の面(以下「裏面」という。)に形成された非単結晶シリコン層と、前記単結晶シリコン層と前記非単結晶シリコン層との界面の一部に、水素アニール時に還元により完全には消失せず、かつ前記裏面に生じる凹凸が素子製作に影響を及ぼさない程度の厚さに形成された酸化シリコン層とを備えたことを特徴とする半導体基板。
IPC (2)：
H01L 21/322
, H01L 21/324
