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J-GLOBAL ID：200903066718659414

金属薄膜の形成方法

Inventor： 新村 俊樹
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995032225
Publication number (International publication number)：1996227856
Application date： Feb. 21, 1995
Publication date： Sep. 03, 1996
Summary：

【要約】【目的】コリメータスパッタ法による金属薄膜の形成方法において、単位成膜パワーあたりの成膜速度及び、ボトムカバレッジを上昇させ、コリメータ及びターゲットの交換頻度を減らす。【構成】チャンバー1にセットする金属ターゲット2として、原子間隔の最も短い結晶軸とほぼ直交する面をスパッタ面とする単結晶の金属ターゲットを用いる。

Claim (excerpt)：

チャンバー内に設けられた金属ターゲットと基板ホルダーとの間にスパッタ粒子の飛行方向を制御するコリメータを設け、前記基板ホルダー上に保持された半導体基板上に金属薄膜を形成する方法において、前記金属ターゲットとして原子間隔の最も短い結晶軸とほぼ直交する面をスパッタ面とする単結晶の金属ターゲットを用いることを特徴とする金属薄膜の形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/203 ,  C23C 14/34 ,  H01L 21/285

FI (4)：

H01L 21/203 S ,  C23C 14/34 A ,  C23C 14/34 T ,  H01L 21/285 S