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J-GLOBAL ID:200903066729021918
イオノグラフィー像形成システム
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
中村 稔 (外7名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1990419112
Publication number (International publication number):1994051589
Application date: Dec. 25, 1990
Publication date: Feb. 25, 1994
Summary:
【要約】 (修正有)【構成】導電性層とボイドの無い均一で連続な誘電性像形成層とを含み、像形成層が約1.5〜約40の誘電率及び少なくとも45μmの厚さを有しかつ厚さ/誘電率の値が約30〜約60μmであるイオノグラフィー像形成部材を提供する。プロジェクションヘッド50の上部鋳物51は流体充満室(図には示してない)に連結しており、充満室には流体源(図には示してない)が固定されている。入口チャンネル52は充満室からの低圧流体(好ましくは空気)を受けとり、イオン発生キャビティ54へ送る。キャビティ54は一般にU形断面を有し、その3側面はコロナワイヤ56を包囲している。【効果】数百回のプリントサイクルの試験に於て約1.2の像濃度及び1in(25.4mm)当たり300の線又はスポットの良好な解像度のプリント像を与え、認識できる像の広がり又はブルーミングが無く、かつ清浄な背景を有するプリント像が繰返し得られた。
Claim (excerpt):
〔請求項1〕導電性層と造膜性重合体を含むボイドの無い一様なかつ連続的な誘電性像形成層とを含み、該像形成層が約1.5〜約40の誘電率と少なくとも約45μmの厚さとを有しかつ該厚さ/該誘電率の値が約30〜約60であるイオノグラフィー像形成部材。〔請求項2〕導電性層と造膜性重合体を含むボイドの無い一様かつ連続的な誘電性像形成層とを含み、該像形成層が像形成表面、約1.5〜約40の誘電率及び少なくとも約45μmの厚さを有し、かつ該厚さ/誘電率の値が約30〜約60であるイオノグラフィー像形成部材を用意すること、該像形成表面上へイオン流を像形状で差し向け、それによって該像形成表面上に静電潜像を形成すること、及び該像形成表面を静電的に吸引性の顕像性粒子と接触させて該粒子を該像形成表面上に該静電潜像と一致して付着させることを含むイオノグラフィー像形成方法。
IPC (3):
G03G 15/00 115
, B41J 2/415
, G03G 15/22 107
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
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特開昭58-068044
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特開昭55-081348
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特開昭51-145321
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