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J-GLOBAL ID：200903066745331277

半導体装置の製造方法

Inventor： 馬場 嘉朗 ,  成瀬 宏
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996066495
Publication number (International publication number)：1997260653
Application date： Mar. 22, 1996
Publication date： Oct. 03, 1997
Summary：

【要約】【課題】ゲート絶縁膜の耐圧が高く、チャネル部におけるキャリアの移動度が大きい半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板1をエッチングして溝4を形成し、半導体基板1表面上に溝4の領域を開口するように形成されているマスク材層3をマスクとして溝4の内壁面に露出する半導体基板1に選択的に半導体層10を形成し、マスク材層3を除去し、溝4の内壁面に形成された半導体層10上および半導体基板1の表面上に絶縁膜5を形成し、この絶縁膜5上の少くとも溝4の内部に導電体6を埋め込む。

Claim (excerpt)：

半導体基板をエッチングして溝を形成する工程と、前記半導体基板表面上に前記溝領域を開口するように形成されているマスク材層をマスクとして前記溝の内壁面に露出する前記半導体基板に選択的に半導体層を形成する工程と、前記マスク材層を除去する工程と、前記溝の内壁面に形成された半導体層および前記半導体基板の表面に絶縁膜を形成する工程と、この絶縁膜上の少なくとも前記溝の内部に導電体を埋め込む工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (3)：

H01L 29/78 653 C ,  H01L 29/78 652 K ,  H01L 29/78 658 E