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J-GLOBAL ID：200903066750068401

多層配線構成体

Inventor： 草野 一孝 ,  江口 益市 ,  浅野 昌也
Applicant, Patent owner： 東レ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992077269
Publication number (International publication number)：1993283867
Application date： Mar. 31, 1992
Publication date： Oct. 29, 1993
Summary：

【要約】【構成】この発明は、基板上に形成した第1層の金属配線と、該第1層の配線を覆う第1層のポリイミド絶縁膜と、該第1層のポリイミド絶縁膜に形成された開口を介して前記第1層の金属配線に接続された第2の金属配線と、該第2層の金属配線を覆い、かつ上記第1層のポリイミド絶縁層に接合された第2層のポリイミド絶縁膜とを最小構成単位として具備する多層配線構成体において、該n層のポリイミド絶縁膜とn-1層のポリイミド絶縁膜の少なくとも一方の接合面を、放電処理とアルカリ処理が順次施されたもので構成したものである。【効果】本発明の多層配線構成体によれば、低応力のポリイミドを用いた場合にもポリイミドとポリイミドの接着性低下を防止できるため、ポリイミドを層間絶縁膜として用いた多層配線構成体の信頼性向上に大きく寄与するものである。

Claim (excerpt)：

基板上に形成した第1層の金属配線と、該第1層の配線を覆う第1層のポリイミド絶縁膜と、該第1層のポリイミド絶縁膜に形成された開口を介して前記第1層の金属配線に接続された第2の金属配線と、該第2層の金属配線を覆い、かつ上記第1層のポリイミド絶縁層に接合された第2層のポリイミド絶縁膜とを最小構成単位として具備する多層配線構成体において、該第n層のポリイミド絶縁膜と第n-1層のポリイミド絶縁膜の少なくとも一方の接合面は、放電処理とアルカリ処理が順次施されてなるものであることを特徴とする多層配線構成体。

IPC (2)：

H05K 3/46 ,  H01L 21/90

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭62-283699
  
• 特開昭62-281499
  
• 特開昭63-148658