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J-GLOBAL ID：200903066751197167
半導体基板の作製方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
丸島 儀一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992016523
Publication number (International publication number)：1993217821
Application date： Jan. 31, 1992
Publication date： Aug. 27, 1993
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 絶縁層上に結晶性、表面平坦性が単結晶ウエハー並に優れたSiを得るうえで、生産性、均一性、制御性、コストの面において卓越した半導体基板の加工方法を提案する。【構成】 シリコン基板を多孔質化する工程、該多孔質上に非多孔質シリコン単結晶層12を形成して第1の基板を形成する工程、該非多孔質シリコン単結晶層表面を、絶縁層を介して第2の基板13に貼り合わせた後、該多孔質化したシリコン基板15を化学エッチング液に浸すことによって、多孔質Siを除去する工程と、単結晶シリコンの融点より低い温度の還元性雰囲気中で熱処理する工程とを有することを特徴とする半導体基板の作製方法。
Claim (excerpt)：
シリコン基板を多孔質化する工程、該多孔質上に非多孔質シリコン単結晶層を形成して第1の基板を形成する工程、該非多孔質シリコン単結晶層表面を、絶縁層を介して第2の基板に貼り合わせた後、該多孔質化したシリコン基板を化学エッチング液に浸すことによって、多孔質Siを除去する工程と、単結晶シリコンの融点より低い温度の還元性雰囲気中で熱処理する工程とを有することを特徴とする半導体基板の作製方法。
IPC (6)：
H01L 21/02
, H01L 21/306
, H01L 21/324
, H01L 27/12
, H01L 21/304 321
, H01L 21/76
