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J-GLOBAL ID：200903066756648612

面発光ダイオード

Inventor： 安東 孝止 ,  大木 明 ,  前仏 栄
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 山川 政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992104100
Publication number (International publication number)：1993283746
Application date： Mar. 31, 1992
Publication date： Oct. 29, 1993
Summary：

【要約】【目的】 青〜青緑色発光領域の発光波長が得られ、かつこの発光が高効率で得られるようにする。【構成】 n+ -GaAs基板11上にn型ZnS0.07Se0.93からなるバッファ層12を形成し、その上にZnSqSe1-q-ZnSrSe1-r:q=0,r=1:厚さ50Å×50層からなるn型超格子光反射層13およびZnSxSe1-x-CdyZn1-ySe-ZnSxSe1-x:x=0.1,y=0.2,各層厚100Å,集積回数=5からなる絶縁型の多重量子井戸発光層14を順次形成し、さらにその上にp型ZnSpSe1-p:p=0.1からなる光透過層15を形成し、光透過層15に上には半透明電極16を形成し、n+ -GaAs基板11の下部には下部電極17を形成する。

Claim (excerpt)：

ZnS<SB>x</SB>Se<SB>1-x</SB>-Cd<SB>y</SB>Zn<SB>1-y</SB>Se-ZnS<SB>x</SB>Se<SB>1-x</SB>(ただし0≦x≦1,0<y<1)からなる単一量子井戸構造の少なくとも1層から形成される発光層と、ZnS<SB>w</SB>Se<SB>1-w</SB>(ただし0≦w≦1)からなる光反射層との積層構造を有することを特徴とする面発光ダイオード。