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J-GLOBAL ID：200903066764073076

薄膜太陽電池およびその製法

Inventor：
山本 憲治

About 山本 憲治


Applicant, Patent owner：
鐘淵化学工業株式会社

About 鐘淵化学工業株式会社


Agent (1)： 曽々木 太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992332437
Publication number (International publication number)：1994163957
Application date： Nov. 17, 1992
Publication date： Jun. 10, 1994
Summary：
【要約】【目的】 長波長側の感度が向上され、しかも光劣化が小さい薄膜太陽電池およびその製法を提供する。【構成】 本発明の薄膜太陽電池は、ガラス基板1上に、透明導電膜2、PIN半導体層および裏面電極6が、この順で形成されてなる薄膜太陽電池であって、前記PIN半導体層のP層3が、薄膜多結晶P型シリコンからなり、前記PIN半導体層のI層4が、I型アモルファスシリコンからなり、前記PIN半導体層のN層5が、N型アモルファスシリコンまたはN型微結晶シリコンからなるものである。また、本発明の薄膜太陽電池の製法は、ガラス基板1上に、透明導電膜2、PIN半導体層および裏面電極6を、この順で形成する薄膜太陽電池の製法であって、前記PIN半導体層のP層3を、薄膜多結晶P型シリコンとし、前記PIN半導体層のI層4を、I型アモルファスシリコンとし、前記PIN半導体層のN層5を、N型アモルファスシリコンまたはN型微結晶シリコンとするものである。
Claim (excerpt)：
ガラス基板上に、透明導電膜、PIN半導体層および裏面電極が、この順で形成されてなる薄膜太陽電池であって、前記PIN半導体層のP層が、薄膜多結晶P型シリコンからなり、前記PIN半導体層のI層が、I型アモルファスシリコンからなり、前記PIN半導体層のN層が、N型アモルファスシリコンまたはN型微結晶シリコンからなることを特徴とする薄膜太陽電池。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (29)
  • 特開昭63-170976
  • 特開昭63-170976
  • 特開昭63-014420
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